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HMDS预处置体系/充HMDS气体真空烘箱/HMDS真空烤箱(容积:90升)

HMDS预处置体系/充HMDS气体真空烘箱/HMDS真空烤箱(容积:90升)
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产物型号:
HMDS-6090
产物称号:
HMDS预处置体系/充HMDS气体真空烘箱/HMDS真空烤箱(容积:90升)
产物报价:
产物特色:
在半导体出产工艺中,光刻是集成电路图形转移主要的一个工艺关键,涂胶品质间接影响到光刻的品质,涂胶工艺也显得特别主要。光刻涂胶工艺中绝大大都光刻胶是疏水的,而硅片外表的羟基和残留的水份子是亲水的,这形成光刻胶和硅片的黏合性较差,特别是正胶,显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的毗连处,轻易形成漂条、浮胶等,致使光刻图形转移的失利,同时湿法侵蚀轻易产生侧向侵蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)能够很好地改良这类状态
  产物具体资料:

产物型号: HMDS-6090 HMDS真空烘箱
产物特色:
1、机外壳接纳不锈钢SUS304材质制作,内胆为不锈钢316L资料制成;加热器平均散布在内胆外壁周围,内胆内无任何电气配件及易燃易爆装配。钢化、防弹双层玻璃门察看任务室内物体一目明了。
2、箱门闭合松紧能调理,全体成型的硅橡胶门封圈,确保箱内高真空度。
3、微电脑智能控温仪,具备设定,测定温度双数字显现和PID自整定功效,控温切确,靠得住。
4、智能化触摸屏节制体系配套日本三菱PLC模块可供用户按照差别制程前提转变法式,温度,真空度及每法式时候。
5、HMDS气体密闭式主动吸收增加设想,真空箱密封机能佳,确保HMDS气体无外漏挂念。
6、全部体系接纳资料制作,无发尘资料,合用100 级光刻间污染情况。
产物手艺参数:
电源电压:AC 220V±10%/50Hz±2%
输出功率:3000W
控温规模:室温+10℃-250℃
温度分辩率:0.1℃
温度动摇度:±0.5℃
到达真空度:133Pa
容积:90L
任务室尺寸(mm):450*450*450
形状尺寸(mm):850*700*1400
载物托架:2块
时候单元:分钟
选配件:
真空泵:德国品牌,莱宝“DC”双极系列旋片式油泵,极限真空高,乐音低,运转不变。
毗连管:不锈钢涟漪管,完整密封将真空泵与烘箱毗连。
HMDS预处置体系的须要性:
在半导体出产工艺中,光刻是集成电路图形转移主要的一个工艺关键,涂胶品质间接影响到光刻的品质,涂胶工艺也显得特别主要。光刻涂胶工艺中绝大大都光刻胶是疏水的,而硅片外表的羟基和残留的水份子是亲水的,这形成光刻胶和硅片的黏合性较差,特别是正胶,显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的毗连处,轻易形成漂条、浮胶等,致使光刻图形转移的失利,同时湿法侵蚀轻易产生侧向侵蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)能够很好地改良这类状态。将HMDS涂到硅片外表后,经烘箱加温可反映天生以硅氧烷为主体的化合物。它胜利地将硅片外表由亲水变为疏水,其疏水基可很好地与光刻胶连系,起着偶联剂的感化。
HMDS真空烘箱的道理:
HMDS预处置体系经由进程对烘箱HMDS预处置进程的任务温度、处置时候、处置时坚持时候等参数能够在硅片、基片外表平均涂布一层HMDS,下降了HMDS处置后的硅片打仗角,下降了光刻胶的用量,进步光刻胶与硅片的黏附性。

HMDS真空烘箱的普通任务流程:
先肯定烘箱任务温度。典范的预处置法式为:翻开真空泵抽真空,待腔内真空度到达某一高真空度后,起头充人氮气,充到达到某低真空度后,再次遏制抽真空、充入氮气的进程,到达设定的充入氮气次数后,起头坚持一段时候,使硅片充实受热,削减硅片外表的水份。而后再次起头抽真空,充入HMDS气体,在到达设定时候后,遏制充入HMDS药液,进入坚持阶段,使硅片充实与HMDS反映。当到达设定的坚持时候后,再次起头抽真空。充入氮气,实现全部功课进程。HMDS与硅片反映机理如图:先加热到100℃-200℃,去除硅片外表的水份,而后HMDS与外表的OH一反映,在硅片表而天生硅醚,消弭氢键作,从而使极性外表变成非极性外表。全部反映延续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)禁止其进一步反映。
尾气排放等:过剩的HMDS蒸汽(尾气)将由真空泵抽出,排放到公用废气搜集管道。在无公用废气搜集管道时需做特地处置。
图片: 外壳冷轧板烤漆

    
外壳不锈钢材质
 

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